成果/Result
- 电场和气压对激光合成SiC超细粉末的影响被引量：0收藏
- 作者：金桂林 金晓英 潘孝仁 金乾元 尤湧
- 机构：华东化工学院应用物理系
- 来源：《华东化工学院学报》 1993
- 关键词：电场 碳化硅 陶瓷粉末 激光诱导
- 摘要：用TEA CO_2激光诱导四甲基硅烷(TMS)的气相反应,生成了纯而均匀的SiC超细粉末,粒径小于0.2μm。把反应物置于均匀外电场中,可以使引发化学反应时所需的激光功率密度阀值降低一倍。TMS气压可达到40kPa。讨论...
- 下载全文在线阅读
版权所有©华东理工大学
重庆维普资讯有限公司 渝B2-20050021-7
渝公网安备 50019002500408号 违法和不良信息举报中心