文献类型：专利

中文题名：一种基于石墨烯/二硒化钨的异质结气体传感器模型的构建方法

作者：张瑞[1];郝国强[1];周瑞[1];叶晓军[1];李红波[1];

机构：[1]华东理工大学;

专利类型：发明专利

申请号：CN202111485187.5

申请日：20211207

申请人地址：200237 上海市徐汇区梅陇路130号

公开日：20220311

代理人：李鸿儒

代理机构：31203 上海顺华专利代理有限责任公司

语种：中文

中文关键词：石墨烯;异质结;气体传感器;二硒化钨;能带结构;气体吸附;构建;吸附;垂直叠加;电荷转移;稳定构型;吸附性能;电荷;密度差;单层;异质;分析;研究

摘要：本发明公开了一种基于石墨烯/二硒化钨的异质结气体传感器模型的构建方法，包括以下步骤：根据石墨烯建立4×4的石墨烯超胞，根据单层WSe₂建立3×3WSe₂的超胞，将3×3WSe₂的超胞垂直叠加在4×4的石墨烯超胞上，得到基于石墨烯/二硒化钨的异质结气体传感器模型；通过基于石墨烯/二硒化钨的异质结气体传感器模型对气体的吸附进行研究，从理论上计算了气体吸附在异质结气体传感器模型上的吸附能、能带结构、电荷密度差分。本发明构建的基于石墨烯/二硒化钨的异质结气体传感器模型，通过分析石墨烯/二硒化钨异质结对十种气体的吸附性能，从理论上计算了气体吸附在异质结上的稳定构型、能带结构和电荷转移。