文献类型：期刊文献

中文题名：不同缓冲层对柔性AZO薄膜光电性能的影响

英文题名：Influence of Different Buffer Layers on the Optoelectronic Properties of AZO Thin Films

作者：陈甲[1];李林骏[1];张力江[1];束智杰[1];陈成[1];陆慧[1]

机构：[1]华东理工大学理学院,上海

年份：2018

卷号：8

期号：6

起止页码：718

中文期刊名：材料科学

外文期刊名：Material Sciences

基金：2017国家级大学生创新实践项目(201710251072)。

语种：中文

中文关键词：磁控溅射;AZO薄膜;PET衬底;缓冲层;光电性质

摘要：采用中频反应磁控溅射法在柔性PET衬底上分别添加TiO2、SnO2和ZnO等缓冲层,室温沉积了掺杂铝的氧化锌薄膜(AZO)。通过对薄膜Hall性质分析以及紫外–可见光吸收特性分析,研究了不同缓冲层以及反应溅射氩氧比对薄膜性能的影响,获得优化的参数。研究结果表明,添加缓冲层可以有效改善柔性AZO薄膜的电学性质,在SnO2缓冲层上5:1氩氧比下生长的柔性AZO薄膜光电性能提高最为显著,薄膜电阻率大幅降低,可见光区域平均透过率超过85%。