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半导体气固相光催化氧化反应介绍  ( EI收录)  

REVIEW OF SEMICONDUCTOR GAS-SOLID PHOTOCATALYTIC OXIDATION

文献类型:期刊文献

中文题名:半导体气固相光催化氧化反应介绍

英文题名:REVIEW OF SEMICONDUCTOR GAS-SOLID PHOTOCATALYTIC OXIDATION

作者:戴智铭[1];朱中南[1];古宏晨[2]

机构:[1]华东理工大学联合化学反应工程研究所,上海200237;[2]华东理工大学技术化学物理研究所,上海200237

年份:2000

卷号:16

期号:2

起止页码:185

中文期刊名:化学反应工程与工艺

外文期刊名:Chemical Reaction Engineering and Technology

收录:CSTPCD;;EI(收录号:2000085262399);Scopus;北大核心:【北大核心1996】;CSCD:【CSCD2011_2012】;

语种:中文

中文关键词:气固相;反应器;催化剂失活;半导体光催化;氧化

外文关键词:gas-solid phase; photocatalysis; photoreactor; catalyst deactivation

摘要:介绍了气固相光催化氧化过程的基本原理、反应动力学 ,探讨了反应器模拟和设计计算以及反应器的型式 ,综述了多相光催化反应半导体光催化剂的制备、使用和失活 ,以及大量的光催化制品。
In this paper, recent research results on mechanism, kinetics were summarized. Reactors used in the onidation processes for the semiconductor were mainly introduced. The photoreactor mathematical models and design were also simplely discussed. Preparation of catalysts and the circumstance of the catalyst deactivation in gas-solid photocatalysis were expounded as well.

参考文献:

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