文献类型：期刊文献

中文题名：CdZnTe晶片中Te沉淀相的观察与研究

英文题名：Study of Te Precipitated Phase in CdZnTe Crystals

作者：朱基千[1,2,3];褚君浩[1,2,3];张小平[1,2,3];李标[1,2,3];程继健[1,2,3]

机构：[1]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室;[2]同济大学材料科学与工程学院;[3]华东理工大学无机材料系

年份：1998

卷号：19

期号：4

起止页码：275

中文期刊名：Journal of Semiconductors

外文期刊名：半导体学报（英文版）

收录：CSTPCD;;EI(收录号：1999384738912);Scopus;北大核心:【北大核心1996】；CSCD:【CSCD2011_2012】；

语种：中文

中文关键词：镉锌碲晶片;碲;沉淀相

外文关键词：Microstructure;Precipitation (chemical)

摘要：用透射电子显微镜、红外显微镜、红外光谱及差示扫描量热法观察研究了ＣｄＺｎＴｅ晶体中的Ｔｅ沉淀相．讨论了ＣｄＺｎＴｅ晶体中的Ｔｅ沉淀／夹杂的成因和区别，及其对红外透射比的影响；ＣｄＺｎＴｅ晶体的红外透射光谱和差示扫描量热法结果表明，当晶体中Ｔｅ沉淀相含量（ｗＴｅ）大于０．６ｗｔ％时，其红外透射比低于５５％，并随ｗＴｅ值的增大而下降；此结果可用Ⅱ－Ⅵ族半导体价带内光吸收机制解释．
Abstract Te precipitated phase in Bridgman grown CdZnTe crystals has been investigated by transmission electron microscopy(TEM), transmission infrared microscopy, infrared transmission spectroscopy and differential scanning calorimetry(DSC). Origination and distinction between Te precipitate and Te inclusion in CdZnTe crystals are discussed. The expeximental results of infrared spectra and DSC technique show that when the concentration of Te precipitates/inclusions( w Te ) is higher than 0.6wt%, the IR transmittance is lower than 55% and then quickly decreases as w Te increase. This can be explained by using the optical transition within the valance band of Ⅱ Ⅵ Semiconductor.