文献类型：期刊文献

中文题名：基于三苯胺和芴的D-A型高分子信息存储材料的合成及性能

英文题名：Synthesis and WORM Memory Effect of a Donor-Acceptor Polymer with an Integrated Fluorene and Triphenylamine Backbone

作者：陈军能[1];曾龙佳[1];汪露馨[1];汪诚[1];陈彧[1]

机构：[1]华东理工大学化学与分子工程学院,教育部结构可控先进功能材料及其制备重点实验室,上海200237

年份：2012

卷号：25

期号：4

起止页码：327

中文期刊名：功能高分子学报

外文期刊名：Journal of Functional Polymers

收录：CSTPCD;;北大核心:【北大核心2011】；CSCD:【CSCD2011_2012】；

基金：国家自然科学基金(21074034);上海市领军人才计划资助项目

语种：中文

中文关键词：D—A型高分子材料;信息存储;WORM型记忆;材料合成

外文关键词：D-A type polymer materials; information storage; WORM memories; materials synthesis

摘要：设计和合成了一种高度可溶的基于三苯胺和芴的D-A型高分子信息存储材料PFTD(Poly{[4,4′-(4.4′-(9H-fluorene-9,9-diyl)bis(4,1-phenylene))bis(oxy)diphthalonitrile][triphe-nylamine][9,9-dioctyl-9H-fluorene]})。随着溶剂极性的增加,荧光强度逐渐减弱,荧光发射谱带变宽且发生红移,最大发射峰分别位于426nm(甲苯),432nm(四氢呋喃),442nm(苯腈),445nm(N,N-二甲基甲酰胺)。PFTD在THF稀溶液中的绝对荧光量子效率为47.8%,由于固体时强的荧光淬灭效应,旋涂在石英玻璃片上的薄膜绝对荧光量子效率仅为5.5%。通过电化学实验估算得到的HOMO、LUMO、能隙、离子化势和电子亲和势分别为-5.43、-2.62、2.81、5.69、2.88eV。由该聚合物制备的薄膜器件(器件结构:ITO/PFTD/Al)表现出典型的一次写入、多次读出(WORM)型记忆特性,电流开关比大于104,开启电压为-1.5V。
A novel highly soluble donor-acceptor polymer, poly{[-4,4＇-（4.4＇-（9H-fluorene 9,9-diyl）bis （4,1- phenylene） ） bis （oxy） diphthalonitrile] [-triphenylamine] [9,9-dioctyl-9H-fluorene] } （ PFTD）, was designed and synthesized through the Suzuki coupling reaction. The fluorescence intensity of PFTD decreased as the solvent polarity increased. Its emission band was observed to get broader and red shifted （3,=426 nm （toluene）, 432 nm （THF）, 442 nm（PhCN） and 445 nm （DMF））. The absolute fluorescence quantum yield of PFTD changed from 47.8% for a dilute THF solution to 5.5%o for a thin film due to the existence of a strong fluorescence quenching effect in the solid state. The HOMO, LUMO, band gap, IP and EA values experimentally estimated from the onset of the redox potentials were - 5. 43, - 2. 62, 2.81, 5. 69, 2. 88 eV, respectively. The PFTD film was attached to aluminum and indium-tin oxide contacts to fabricate a memory device with typical bistable electrical switching, non-volatile write-once read-many-times （WORM） memory performance, a turn-on voltage of approximately -1.5 V and an ON/ OFF ratio of more than 104.