文献类型：期刊文献

中文题名：两种g-C3N4的异质结的第一性原理计算

英文题名：First principle calculation of two kinds of heterojunctions generated from g-C_3N_4

作者：赵宇培[1];朱玉俊[2];卢运祥[3]

机构：[1]常州大学石油化工学院,江苏省绿色催化材料与技术重点实验室,江苏常州213164;[2]蚌埠学院材料与化学工程学院,安徽蚌埠233030;[3]华东理工大学化学与分子工程学院,上海230237

年份：2017

卷号：48

期号：9

起止页码：9100

中文期刊名：功能材料

外文期刊名：Journal of Functional Materials

收录：CSTPCD;;Scopus;北大核心:【北大核心2014】；CSCD:【CSCD_E2017_2018】；

基金：江苏省自然科学基金资助项目(BK20150261);江苏省绿色催化材料与技术实验室开放课题基金资助项目(BM2012110);江苏省凹土资源利用重点实验室开放课题基金资助项目(HPK201505)

语种：中文

中文关键词：g-C3N4;异质结;第一性原理

外文关键词：g-C3N4 ; heterojunction; first principle

摘要：运用第一性原理方法计算了两种新型的g-C_3N_4的异质结g-C_3N_4/TiO_2和g-C_3N_4/MoS_2,其带隙分别为1.281和0.344eV,两者的带隙相比单层g-C_3N_4有所减小。两者的VBM主要由N2p电子构成,CBM主要由Ti或Mo3d电子构成,并且两者的HOMO和LUMO都出现了层分离,使得电子空穴复合速度下降,提高了光催化效率。
Heterojunctions g-C3N4/TiOa and g-C3N4/MoSs were studied by first principle calculation. The band gaps of g-C3N4/TiO2 and g-C3N4/MoSawere 1.281 eV and 0.344 eV, which decreased in comparison with that of g-C3N4 single layer. Their VBM are comprised of 2p electron belong to N, while the CBM are mainly comprised of 3d electrons belong to Ti or Mo. The HOMO and LUMO of heterojunctions detached from the layers, inducing lower recombination velocity of electrons and holes and improving the efficiency of photolvsis.