文献类型：期刊文献

中文题名：溶胶-凝胶法在铝基体上沉积硅氧化物薄膜

英文题名：Preparation of SiOx film on Al substrate by sol-gel process

作者：赵胜利[1];裴士轻[1];文九巴[1];赵崇军[2]

机构：[1]河南科技大学材料学院,河南洛阳471003;[2]华东理工大学材料科学研究所,上海200237

年份：2007

卷号：38

期号：A07

起止页码：2655

中文期刊名：功能材料

外文期刊名：Journal of Functional Materials

收录：CSTPCD;;Scopus;北大核心:【北大核心2004】；CSCD:【CSCD2011_2012】；

基金：国家自然科学基金资助项目（20504026）;河南科技大学人才科研基金资助项目（04015）;河南省教育厅自然科学计划资助项目（2006430005）

语种：中文

中文关键词：硅氧化物薄膜;铝基体;溶胶-凝胶;形貌结构

外文关键词：silicon oxides film; Al substrate; sol-gel; surface morphology and structure

摘要：采用溶胶凝胶工艺并结合旋转涂布技术在Al基片上沉积硅氧化物薄膜，由扫描电镜（SEM）、投射电镜（TEM）、电子衍射（ED）、X射线能量散射（EDX）考察了溶胶性质、升温速率、控制干燥剂等对薄膜的表面形貌影响以及薄膜的结构特点。研究结果表明：在Al基体上制备了表面较均匀、无裂缝的非晶态硅氧化物薄膜，其中O和Si的原子比接近2。利用碱性溶胶在较低的升温速率条件下可以克服薄膜表面裂纹的产生，添加少量控制干燥剂DMF可在较高的升温速率时获得比表面积大、无裂缝的均匀薄膜，有望作为蛋白质芯片的固相载体．
Silicon oxides （SiOx） thin film was prepared on Al substrate by sol gel and spin coating technique. The influence of sol property, heating rate and DMF on surface morphology, structure and composition of SiOx thin film was examined by SEM, TEM, ED and EDX. The results show that a non-crystalline SiOx film with uniform roughness and free of cracks is prepared on Al substrate, and the atomic ratio of the O to Si is close to 2. The cracks on SiOx film deposited with alkalescent sol will be disappear at a low heating rate （0.5℃/min）. In addition, adding a small quantity of DMF in sol, the SiOx film with large special area and free of cracks can also be fabricated on Al substrate at high heating rate （2℃ /min）, which is expected to use as solid carder for protein chip.