文献类型：专利

中文题名：一种基于锗烯的二维肖特基异质结模型的构建方法

作者：张瑞[1];郝国强[1];张文静[1];叶晓军[1];李红波[1];

机构：[1]华东理工大学;

专利类型：发明公开

申请号：CN202011291774.6

申请日：20201118

申请人地址：200237 上海市徐汇区梅陇路130号

公开日：20210223

代理人：李鸿儒

代理机构：31203 上海顺华专利代理有限责任公司

语种：中文

中文关键词：单层; 体材料; 异质结; 薄层; 晶面; 热力学稳定性; 垂直叠加; 垂直堆叠; 二硒化钨; 晶格参数; 能带结构; 有效质量; 肖特基; 二维; 构建

摘要：本发明公开了一种基于锗烯的二维肖特基异质结模型的构建方法:建立WSe₂体材料模型;建立Germanene模型;将WSe₂体材料模型均切晶面得到单层WSe₂,将Germanene模型均切晶面得到Germanene薄层;根据Germanene薄层建立Germanene的超胞,根据单层WSe₂建立WSe₂的超胞,将Germanene的超胞垂直叠加在WSe₂的超胞上,得到Germanene/WSe₂异质结模型。本发明首次将锗烯垂直堆叠在单层二硒化钨上,计算出超胞的晶格参数、能带结构、热力学稳定性、电子有效质量等。