文献类型：期刊文献

中文题名：Sb掺杂SnO_2纳米粉体的结晶行为和电学性能

英文题名：Crystal and Electrical Behaviour of Antimony Doped SnO_2 Nanoparticles

作者：张建荣[1];顾达[1];杨云霞[1]

机构：[1]华东理工大学化学系,上海200237

年份：2002

卷号：19

期号：6

起止页码：552

中文期刊名：应用化学

外文期刊名：Chinese Journal of Applied Chemistry

收录：CSTPCD;;北大核心:【北大核心2000】；CSCD:【CSCD2011_2012】；

语种：中文

中文关键词：Sb;掺杂;SnO2;锑;纳米粉体;结晶行为;电学性能;半导体材料;二氧化锡;非均相成核法

外文关键词：SnO 2,antimony doped nanoparticle,crystal behavior, electrical property

摘要：采用非均相成核法制备了 Sb掺杂的 Sn O2 (ATO)纳米粉体 .研究了粉体电学性能、粒径、晶胞参数随 Sb掺杂量的变化关系及粉体电学性能、粒径随煅烧温度的变化关系 .应用非晶物质晶化晶核生长速率方程计算了晶粒生长活化能 .结果表明 ,晶粒生长分为 2个阶段 ,其活化能分别为 2 1 .94和 4.5 2 k J/mol.
Antimony doped tin dioxide(ATO) nanoparticles prepared by heterogeneous precipitation have been investigated as funcion of grain size, cell volume and electrical property in relation to Sb doped level and calcination temperature. It is found that the crystal grows up in two steps. The activation energies of crystal growth were calculated to be 21 94 and 4 52 kJ/mol, respectively.