文献类型：期刊文献

中文题名：GaInP薄膜的金属有机化学气相沉积生长动力学多尺度模拟

作者：胡贵华[1];俞涛[2]

机构：[1]华东理工大学化工过程先进控制和优化技术教育部重点实验室,上海200237;[2]上海大学,CIMS与机器人中心,上海200072

年份：2010

卷号：40

期号：9

起止页码：1105

中文期刊名：中国科学：物理学、力学、天文学

外文期刊名：Scientia Sinica Physica,Mechanica & Astronomica

收录：CSTPCD;;Scopus;北大核心:【北大核心2008】；CSCD:【CSCD2011_2012】；

基金：国家自然科学基金(批准号:60706014);国家自然科学基金面上项目基金(编号:2009CB320603);国家杰出青年科学基金(批准号:60625302);国家高技术研究发展计划(编号:2009AA04Z159);上海市重点学科建设项目基金(编号:B504)资助项目

语种：中文

中文关键词：金属有机化学气相沉积;计算流体力学;动力学蒙特卡罗;虚拟现实;多尺度模拟;GaInP薄膜生长

摘要：Ⅲ-V族化合物GaInP是一种高效发光材料.金属有机化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)技术能均匀生长多结、多层和大面积的薄膜材料,是一种非常有效的方法.通过分别运用计算流体力学、动力学蒙特卡罗方法与虚拟现实技术相结合,提出了一个研究垂直MOCVD反应器的GaInP薄膜生长过程的流体动力学、热力学和分子动力学多尺度模拟方法.可视化结果不仅准确和直观的显示了MOCVD反应器里的气体热流场分布情况,而且展示了MOCVD反应器中的GaInP薄膜生长过程.因此,该模拟为我们优化GaInP的MOCVD生长提供了一个重要指导.