文献类型：会议论文

中文题名：半导体CMP抛光用氧化铈的精密分级

作者：高玮[1,2]

机构：[1]华东理工大学化工学院超细粉末国家工程研究中心;[2]上海华明高纳稀土新材料有限公司

会议论文集：中国稀土学会2022学术年会、第十四届中国包头·稀土产业论坛摘要集

会议日期：20220817

会议地点：中国内蒙古包头

语种：中文

中文关键词：氧化铈;抛光;精密分级

摘要：化学机械抛光工艺(Chemical and Mechanical Polish)在半导体制造工艺应用广泛。在浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation,STI)的制作工艺中,化学机械抛光是非常重要的一步制作工艺。为避免大颗粒对表面质量的影响,半导体抛光用氧化铈的颗粒分布应较窄,亚微米范围内的精密分级技术是核心控制技术。本文介绍了采用气流分级、沉降分级、旋流分级、离心分级等技术在氧化铈分级中的应用结果。通过有效的分级技术,得到的氧化铈在半导体抛光中得到如下结果:(1)氧化膜研磨速率可达3000A/min,与现有IC制程商业化的研磨液的研磨速率相当。(2)氧化膜速率的均一可达5%。(3)氧化膜和氮化膜的研磨速率选择比可达30以上,具有良好的高选择比。(4)氧化膜硅片研磨后表面的粗糙度均小于2A。