文献类型：专利

中文题名：全程疏水性聚吡咯膜的制备方法

作者：赵崇军[1];张华[1];陈宸[1];郭守武[1];

机构：[1]华东理工大学;

专利类型：发明专利

申请号：CN200710037333.1

申请日：20070208

申请人地址：200237 上海市徐汇区梅陇路130号

公开日：20100825

语种：中文

中文关键词：聚吡咯;疏水性;还原态;基底;粗糙度;孔洞;氧化还原电位;导电高分子;电化学方法;嵌段共聚物;生长的影响;全程;聚合过程;聚合时间;开关性质;实验参数;制备方法;表面膜;纳米级;亲水性;平滑;导电;薄层;沉积;转变

摘要：本发明公开了一种全程疏水性聚吡咯膜的制备方法，本发明选用浸润性具有开关性质的导电聚吡咯，利用选用非平滑基底提高粗糙度的方法使其氧化态(或还原态)时的亲水性转变为憎水性，同时控制其在对应的还原态(或氧化态)时的疏水性，从而得到氧化态、还原态全疏水性的聚吡咯材料，其中提高粗糙度的方法是利用具有纳米级孔洞的嵌段共聚物膜(BCP)作为基底，利用电化学方法在其表面选择性沉积聚吡咯薄层，通过改变聚合时间等参数来控制。本发明的优点在于：利用基底对表面膜生长的影响，降低了聚合过程中其它实验参数控制的要求程度。所获得的产物，氧化还原电位范围内全程均为疏水性的导电高分子，能够满足有关领域的需要。